四探针法在半导体测试中的应用与优势

今天我们聊一聊半导体测试技术中的一种重要方法——四探针法。想知道它是如何为半导体材料的研究和生产保驾护航的吗?那就继续往下看吧!

四探针法的原理

四探针法是一种高精度的电阻测量方法,它通过在平坦的样品上放置四个探针,形成一条直线。

外侧的两个探针通过直流电流,内侧的两个探针用于测量电压。

电阻率ρ可以通过外侧两个探针施加的电流I和内侧两个探针测量的电压V23来计算,公式为 ρ = V23 / I。

探针系数C的影响

探针系数C取决于探针的排列方式和针距。当四根探针等间距排列时,C = 2πs,其中s是探针间距。

薄片样品的测量

对于薄片样品,单位方块电阻RS与电阻率ρ之间的关系为 ρ = RS * ts,其中ts是薄片样品的厚度。

校正因子F*的作用

表2-1提供了薄层电阻测试等距直线四探针的校正因子F*,这有助于修正由于探针位置不同而产生的测量误差。

温度的影响与修正

在实际应用中,四探针法还需要考虑温度的影响,因为半导体材料的电阻率具有显著的温度系数。

如果检测时的室温与参考温度(23±0.5℃)不同,可以使用公式ρ23℃ = ρT - CT(T - 23)进行修正。

四探针法的重要性

四探针法在半导体材料的研究和生产中发挥着重要作用,可以确保材料和器件的质量和性能。

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